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申请/专利权人：重庆材料研究院有限公司
摘要：本发明涉及一种用于自给能中子敏感元件的钴丝的制备方法，包括以下步骤，1钴粉还原处理；2混料及压制成型；3真空感应熔炼；4锻造、旋锻、拉拔；5电解抛光、退火。采用本发明所述方法能够制备出直径为1.00mm～2.00mm的钴丝，钴丝纯度≥99.95％，钴丝中硼、镉、铬、铜、硅不耐辐照的每个元素含量≤30ppm，钴丝椭圆度的精度达到±0.003mm，表面粗糙度≤Ra1.6μm，抗拉强度≥900MPa，延伸率≥6％。
主权项：1.一种用于自给能中子敏感元件的钴丝制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1钴粉还原处理：钴粉装入钼舟，在氢气条件下还原，还原温度为350～550℃，保温时间为3～5h，得到还原后的钴粉；2混料及压制成型：还原后的钴粉加入锆粉高能球磨混料，混料后压制成型，所述锆粉加入量为钴粉重量的0.1～0.3％；3真空感应熔炼：成型的钴放入真空熔炼炉中，熔炼电流调节范围为0～30A，调节电流间隔时间为2～5min，钴完全熔化后，电磁搅拌2～5min，引锭成钴锭；4锻造、旋锻、拉拔：将钴锭锻造成钴金属棒，旋锻成钴条，钴条表面预处理后，拉拔成钴丝，拉拔后退火；5电解抛光、退火：退火后的钴丝电解抛光、退火。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆材料研究院有限公司 用于自给能中子敏感元件的钴丝制备方法
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