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功率管防过冲驱动电路及驱动方法 

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申请/专利权人:深圳安森德半导体有限公司

摘要:本发明公开了一种功率管防过冲驱动电路及驱动方法。其中,电路包括依次串联的直驱电路、预驱电路和强驱电路;直驱电路,用于根据输入信号驱动功率管;预驱电路,用于经第一延时后,采集并根据功率管的第一输出电压,辅助驱动功率管;强驱电路,用于经第二延时后,采集并根据功率管的第二输出电压,完成功率管驱动。本发明公开的功率管防过冲驱动电路或方法,结构简单易于实现,并能有效防止功率管驱动时产生过冲,以及显著提高功率管的可靠性。

主权项:1.一种功率管防过冲驱动电路,其特征在于,包括依次串联的直驱电路、预驱电路和强驱电路;其中,直驱电路,用于根据输入信号驱动功率管;预驱电路,用于经第一延时后,采集并根据功率管的第一输出电压,辅助驱动功率管;所述预驱电路包括第二PMOS管、第三PMOS管与第二NMOS管、第三NMOS管;所述第二PMOS管的源极连接供电电压,漏极与所述第三PMOS管的源极相连,所述第三PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极相连,所述第二NMOS管的源极与所述第三NMOS管的漏极相连,所述第三NMOS管的源极接地;所述第二PMOS管的栅极与所述第三NMOS管的栅极共同连接输入信号输出端,所述第三PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极共同连接功率管经第一延时后的输出信号输出端,所述第三PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极之间的公共节点共同连接所述功率管的栅极;强驱电路,用于经第二延时后,采集并根据功率管的第二输出电压,完成功率管驱动;所述强驱电路包括第四PMOS管、第五PMOS管以及第四NMOS管和第五NMOS管;所述第四PMOS管的源极连接供电电压,漏极与所述第五PMOS管的源极相连,所述第五PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的漏极相连,所述第四NMOS管的源极与所述第五NMOS管的漏极相连,所述第五NMOS管的源极接地;所述第四PMOS管的栅极与所述第五NMOS管的栅极共同连接输入信号输出端,所述第五PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极共同连接功率管经第二延时后的输出信号输出端,所述第五PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的漏极之间的公共节点共同连接所述功率管的栅极。

全文数据:

权利要求:

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