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申请/专利权人：科磊股份有限公司
摘要：本申请实施例涉及一种金属囊封光电阴极电子发射器。本发明揭示一种光电阴极结构，其可包含Cs2Te、CsKTe、CsI、CsBr、GaAs、GaN、InSb、CsKSb或金属中的一或多者，所述光电阴极结构在外表面上具有保护膜。所述保护膜包含钌、镍、铂、铬、铜、金、银、铝中的一或多者或其合金。所述保护膜可具有从1nm到10nm的厚度。所述光电阴极结构可用于如扫描电子显微镜的电子束工具中。
主权项：1.一种电子发射器，其包括：光电阴极结构，其包含Cs2Te、CsKTe、CsI、CsBr、GaAs、GaN、InSb、CsKSb或金属中的一或多者；衬底；保护膜，其安置于与所述衬底相对的所述光电阴极结构的外表面上，其中所述保护膜包含钌、镍、铂、铬、铜、金、银、铝中的一或多者或其合金，其中所述保护膜的厚度经配置以取决于所述电子发射器的提取器配置及用于光电子发射的波长，所述保护膜的厚度进一步经配置以基于所述电子发射器的提取器配置而改变从1mm到2mm的值；以及第二保护膜，其在所述衬底与所述光电阴极结构之间，其中所述第二保护膜包含钌、镍、铂、铬、铜、金、银、铝中的一或多者或其合金，其中所述保护膜具有低于所述第二保护膜的功函数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 科磊股份有限公司 金属囊封光电阴极电子发射器
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