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申请/专利权人：艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
申请日：2022-10-28
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118266090A
主分类号：H01L33/00
分类号：H01L33/00;H01L33/12;H01L33/16
优先权：["20211029 DE 1020212122205"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明涉及一种用于处理光电部件的方法，该光电部件具有包括铟的半导体材料，该方法包括以下步骤：设置具有第一晶格常数的生长衬底，并且外延沉积基于GaN的牺牲层，该牺牲层具有高于1e18原子cm3的掺杂浓度、具有不同于第一晶格常数的第二晶格常数。然后沉积基于GaN的顶部层，该顶部层的掺杂浓度低于牺牲层的掺杂浓度并且具有不同于第一晶格常数的第三晶格常数，其中，牺牲层和顶部层的生长在顶部层的表面上产生多个位错。将结构化掩膜设置到顶部层的表面上，其中，表面的第一部分被暴露并且表面的第二部分被覆盖，并且牺牲层通过暴露的部分上的位错而电化学多孔化，使得第二部分下方的牺牲层被至少部分地多孔化。最后，形成功能层堆叠。
主权项：1.一种用于处理光电部件的方法，所述光电部件具有包括铟的半导体材料，所述方法包括以下步骤：-设置具有第一晶格常数的生长衬底10；-外延沉积基于GaN的牺牲层30，所述牺牲层30具有高于1e18原子cm3的掺杂浓度、具有不同于所述第一晶格常数的第二晶格常数；-外延沉积基于GaN的顶部层60，所述顶部层60具有低于所述牺牲层30的掺杂浓度、具有不同于所述第一晶格常数的第三晶格常数，其中，所述牺牲层30和所述顶部层的生长在所述顶部层的表面上产生多个位错31，32，33；-将结构化掩膜40设置到所述顶部层60的表面上，其中，所述表面的第一部分63被暴露，并且所述表面的第二部分64被覆盖；-设置蚀刻剂，所述蚀刻剂被配置成用于所述牺牲层的电化学多孔化；-通过在被暴露的第一部分63上的所述位错31，32，33对所述牺牲层30进行电化学多孔化，使得在所述第二部分64下方的所述牺牲层30被至少部分地多孔化；-将基于InGaN半导体材料的功能层堆叠70形成到所述第二部分上，所述功能层堆叠包括至少一个有源层区72。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司 用于处理光电部件的方法及光电部件
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