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申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
摘要：本发明实施例提供了一种确定等离子体起辉的方法、半导体工艺设备的控制方法，用于半导体工艺设备，半导体工艺设备包括射频线圈，所述方法包括：在向射频线圈施加射频功率后，监测射频线圈的电参数变化率，电参数变化率包括流经射频线圈的电流变化率或射频线圈两端的电压变化率；当当前时刻检测的电参数变化率与前一时刻检测的电参数变化率的比值超出预设比例阈值或者差值超出预设差值阈值时，确定等离子体起辉，从而可以根据等离子体起辉准确判断半导体工艺设备的点火时刻，避免了在半导体工艺设备点火之前启动下射频系统，提高了半导体工艺设备的安全性。
主权项：1.一种确定等离子体起辉的方法，用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括射频线圈，所述方法包括：在向所述射频线圈施加射频功率后，监测所述射频线圈的电参数变化率，所述电参数变化率包括流经所述射频线圈的电流变化率或所述射频线圈两端的电压变化率；当当前时刻检测的所述电参数变化率与前一时刻检测的所述电参数变化率的比值超出预设比例阈值或者差值超出预设差值阈值时，确定所述等离子体起辉。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 确定等离子体起辉的方法、半导体工艺设备的控制方法
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