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申请/专利权人：湖南工商大学
摘要：本发明属于自旋电子学技术领域，具体公开了一种C60Co纳米复合巨磁阻器件及其制备方法，C60Co纳米复合巨磁阻器件从下往上依次包括衬底、两个金属电极和C60Co纳米复合薄膜，两个金属电极在同一水平面上且之间设有沟道，C60Co纳米复合薄膜连接所述两个金属电极并覆盖所述沟槽。本发明通过调节Co纳米颗粒的体积分数制备出横向结构的C60Co纳米复合巨磁阻器件，在10K低温下，呈现出8670000％的巨大磁电阻性能。本发明有效解决了传统垂直有机自旋器件中顶电极制备方法中的界面扩散及磁电阻比值低的问题；制备工艺简单，原材料价格便宜，可应用于磁传感器及多阻态非易失磁存储。
主权项：1.一种C60Co纳米复合巨磁阻器件，其特征在于，所述C60Co纳米复合巨磁阻器件为横向结构，其从下往上依次包括衬底、两个金属电极和C60Co纳米复合薄膜；所述C60Co纳米复合薄膜为纳米金属Co颗粒随机分布于有机半导体C60基质中构成的复合薄膜材料；所述两个金属电极在同一水平面上且之间设有沟道，所述C60Co纳米复合薄膜连接所述两个金属电极并覆盖所述沟槽。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南工商大学 一种C60/Co纳米复合巨磁阻器件及其制备方法
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