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申请/专利权人：古河电气工业株式会社
申请日：2020-02-04
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN113396512B
主分类号：H01S5/026
分类号：H01S5/026;G02B6/12
优先权：["20190208 JP 2019-021914"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2021.10.01#实质审查的生效;2021.09.14#公开
摘要：本发明的目的在于，提供一种能够抑制特性的劣化、可靠性的降低的半导体元件。半导体元件具备：台面部，其具有半导体层叠构造，在给定方向上延伸；延伸部，其隔着分别设置于台面部的两侧的沟道槽而沿着台面部延伸；绝缘部，其包含绝缘性材料，分别设置于沟道槽；以及导电部，其设置于台面部的上侧，绝缘部的至少一个与台面部密接且在台面部的延伸方向上的至少一部分中，在与延伸部之间形成有空隙，遍及至少一个绝缘部和台面部而设置有导电部。
主权项：1.一种半导体元件，其特征在于，具备：台面部，其具有半导体层叠构造，在给定方向上延伸；延伸部，其隔着分别设置于所述台面部的两侧的沟道槽而沿着所述台面部延伸；绝缘部，其包含绝缘性材料，分别设置于所述沟道槽；以及导电部，其设置于所述台面部的上侧，所述绝缘部的至少一个与所述台面部密接且在所述台面部的延伸方向上的至少一部分中，在与所述延伸部之间形成有空隙，遍及所述至少一个绝缘部和所述台面部而设置有所述导电部，所述至少一个绝缘部的一部分构成在所述至少一个绝缘部中未在与所述延伸部之间形成所述空隙的部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 古河电气工业株式会社 半导体元件
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