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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：增进工艺均匀性的方法及系统。半导体处理腔室可包含远程等离子体区域，及与远程等离子体区域流体耦接的处理区域。处理区域可被配置为在支撑基座上容纳基板。支撑基座可包含在基座的内侧区域处的第一材料。支撑基座也可包含与基座的远程部分耦接的或在基座的外侧区域处的环形构件。环形构件可包含与第一材料不同的第二材料。
主权项：1.一种蚀刻基板的方法，所述方法包括：形成含氟前体的等离子体流出物；通过喷淋头将所述等离子体流出物输送至半导体处理区域中；用所述等离子体流出物接触驻留在支撑基座上的基板，其中所述基板包括硅，其中所述支撑基座包括在所述支撑基座的内侧表面的第一材料，其中所述支撑基座包括与所述支撑基座的远程部分耦接的环形构件，其中所述环形构件在所述支撑基座的上表面的上方延伸，并且所述环形构件的外侧区域包括与所述第一材料不同的第二材料，并且其中氟对所述第二材料具有比对所述第一材料更高的亲和性，以使得所述半导体处理区域中的氟化物自由基与所述第二材料关联时，所述氟化物自由基再结合以产生可移除的氟或氟化气体，从而减少沿着所述基板的边缘区域的所述氟化物自由基的浓度；以及将所述环形构件保持在高于50℃的温度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 增进工艺均匀性的方法及系统
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