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一种幻彩灯珠结构及其制造方法 

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申请/专利权人:深圳市色彩光电有限公司

摘要:本发明提供了一种幻彩灯珠结构及其制造方法,包括BT基板、盖板、焊盘层、发光三色LED芯片,驱动IC和ESD防护件;焊盘层设置于BT基板两侧,两侧焊盘层分别为固晶层和焊接层,驱动IC、发光三色LED芯片和ESD防护件设置于固晶层;盖板设置于固晶层,驱动IC、发光三色LED芯片和ESD防护件位于盖板内;驱动IC与固晶层、发光三色LED芯片和ESD防护件电性连接;驱动IC设置有多个信号功能引脚,焊接层上设置有与信号功能引脚功能对应的外接引脚。本申请外接线路连接时布线简单,不需要绕线,在有效对内部电子元件保护的同时,还防止了透光,提高了LED显示屏的显示效果。

主权项:1.一种幻彩灯珠结构,其特征在于,包括BT基板、盖板、焊盘层、发光三色LED芯片,驱动IC和ESD防护件;所述焊盘层设置于所述BT基板两侧,两侧所述焊盘层分别为固晶层和焊接层,所述驱动IC、所述发光三色LED芯片和所述ESD防护件设置于所述固晶层;所述盖板设置于所述固晶层,所述驱动IC、所述发光三色LED芯片和所述ESD防护件位于所述盖板内;所述驱动IC与所述固晶层、发光三色LED芯片和所述ESD防护件电性连接;所述驱动IC设置有多个信号功能引脚,所述焊接层上设置有与所述信号功能引脚功能对应的外接引脚;所述ESD防护件包括P型衬底,所述P型衬底从左到右依次设置有第一N阱、P阱和第二N阱,所述第一N阱上设置有第一N+注入和第一P+注入,第二N阱上设置有第二N+注入和第二P+注入,所述第一N+注入和所述第二N+注入分别位于所述第一N阱和所述第二N阱的外侧;所述第一N+注入和所述第一P+注入与所述驱动IC的电源正极端电性连接,所述第二N+注入和所述第二P+注入与所述驱动IC的电源负极端电性连接;所述P阱上设置有第三N阱,所述第一N阱和所述第二N阱上设置有横跨所述P阱和所述第三N阱的P+跨桥,所述P+跨桥的上下两侧均设置有N+跨桥,且跨接在所述第一N阱和所述P阱之间以及所述第二N阱和所述P阱之间。

全文数据:

权利要求:

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