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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种MIS结构增强型超结电流孔径垂直电子晶体管及其制造方法，晶体管包括依次布置的：n型GaN衬底、n型GaN漂移层、超结、p型GaN电流阻挡层、GaN沟道层、势垒层和介质层；其中，p型GaN电流阻挡层设有用于限定电流路径的电流通孔，并且GaN沟道层覆盖电流通孔；源电极布置于p型GaN电流阻挡层远离超结的一面，并分布于GaN沟道层的两侧；栅电极布置于介质层远离p型GaN势垒层的一面，且完全覆盖电流通孔。进一步地，势垒层包括多周期势垒层和p型GaN顶势垒层；本发明通过增加栅介质，增加p型GaN做顶势垒层，使用多层次势垒层和超结结构，增加了器件阈值电压和击穿电压，减少了器件栅电极漏电，增加了器件的稳定性和可靠性。
主权项：1.MIS结构增强型超结电流孔径垂直电子晶体管，其特征在于，包括依次布置的：n型GaN衬底、n型GaN漂移层、超结、p型GaN电流阻挡层、GaN沟道层、势垒层和介质层；所述p型GaN电流阻挡层设有用于限定电流路径的电流通孔，所述GaN沟道层覆盖所述电流通孔；漏电极布置于所述n型GaN衬底远离所述n型GaN漂移层的一面；源电极布置于所述p型GaN电流阻挡层远离所述超结的一面，并分布于所述GaN沟道层的两侧；栅电极布置于所述介质层远离所述p型GaN势垒层的一面，且完全覆盖所述电流通孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 MIS结构增强型超结电流孔径垂直电子晶体管及其制造方法
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