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申请/专利权人：南京理工大学
摘要：本发明公开了一种高压电系数低损耗的PNN‑PHT材料及其制备方法。本发明所述PNN‑PNT三元压电陶瓷的化学式为xMnNb2O6‑0.51PbHf0.3Ti0.7O3‑0.49PbNil3Nb23O3，其中，0.0％＜x≤1.0％。本发明通过锰掺杂，在保证高压电系数的前提下，有效的提升了PNN‑PHT材料的机械品质因数，大幅度降低了材料的介电损耗，获得了优异的综合性能，同时制备方法简单、工艺步骤简单，过程易于控制，可重复性高，成品率高。
主权项：1.一种PNN-PNT三元压电陶瓷，其特征在于，所述PNN-PNT三元压电陶瓷的化学式为xMnNb2O6-0.51PbHf0.3Ti0.7O3-0.49PbNil3Nb23O3，其中，0.0％＜x≤1.0％。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京理工大学 一种高压电系数低损耗的PNN-PHT材料及其制备方法
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