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申请/专利权人：苏州矽微电子科技有限公司

摘要：本发明涉及一种wafer扩晶转移贴膜方法及其机构，沿顶部从上往下依次设置第一平台、第二平台、第三平台、第四平台和切膜机构，第一平台上设置有同步带传送机构，第二平台上设置有第一电机，第一电机与驱动轮相连接，并通过同步带、从动轮驱动升降丝杆上下移动，第四平台上一端设置有第二电机，第二电机与水平移动丝杆的一端驱动连接，水平移动丝杆的另一端穿过第一固定块后固定设置在第四平台上，第四平台上沿水平移动丝杆方向两侧还设置有滑轨，第三平台配合设置在滑轨上，还包括设置在切膜机构下方的真空吸附装置和扩晶机构。本发明结构简单、制造成本低且操作简便，同时设置有水平传动机构和竖直传动机构，灵活度高，加工精度高。

主权项：1.一种wafer扩晶转移贴膜机构，其特征在于，所述机构沿顶部从上往下依次设置第一平台1、第二平台3、第三平台4、第四平台6和切膜机构12，所述第二平台3、第三平台4和切膜机构12之间均通过四周的连接杆固定连接，所述第一平台1上设置有同步带传送机构，包括驱动轮20、同步带19和从动轮18，所述第二平台3上设置有第一电机2，所述第一电机2与驱动轮20相连接，并通过同步带19、从动轮18驱动升降丝杆14上下移动，所述升降丝杆14的一端与从动轮18转动连接，另一端穿过第二平台3后与第三平台4固定连接，且升降丝杆14与第二平台3铰接，所述第三平台4中间位置设置有第一固定块，所述第四平台6上一端设置有第二电机5，所述第二电机5与水平移动丝杆17的一端驱动连接，水平移动丝杆17的另一端穿过第一固定块后固定设置在第四平台6上，且水平移动丝杆17通过第一固定块与第三平台4铰接，所述第四平台6上沿水平移动丝杆17方向两侧还设置有滑轨15，所述第三平台4配合设置在滑轨15上，所述切膜机构12位于第四平台6的底部；还包括设置在所述切膜机构12下方的真空吸附装置13和扩晶机构10，所述扩晶机构10的底部设置有气缸11，所述扩晶机构10的侧端通过安装座与减速机8相连接，且安装座上靠近扩晶机构10的位置设置有传感器9；所述滑轨15的两端设置有限制块16，所述第一电机2和第二电机5均为伺服电机，所述升降丝杆14和水平移动丝杆17均为滚珠丝杆，所述减速机8的安装座上还设置有电机翻转机构7。

全文数据：一种wafer扩晶转移贴膜方法及其机构技术领域本发明涉及一种wafer扩晶转移贴膜方法及其机构。背景技术扩晶是固晶的前一道辅助工序，芯片之间的间距很小，这样没有办法上自动固晶机，因此必须用一种办法把芯片隔开，贴芯片的膜是具有拉伸性的，用扩晶机将模拉伸，然后套上固晶环，这就是扩晶。在LED晶片的生产过程中，LED晶片在划片后形成阵列的晶粒，阵列的晶粒贴附在晶片膜上，晶片膜上的晶粒排列十分紧密，不利于后续工序的操作，而在LED灯的生产过程中，LED晶片的检测和分选是一道非常重要的工序。为了易于对LED晶片的检测和分选，必须扩大晶片膜上原有LED晶片之间的间距，也就是通过扩晶机对晶片膜进行扩晶操作。目前市面上常见的扩晶机大多体型较大，制造成本高，且操作复杂。而且现有的扩晶机大多只设置有上下升降功能，灵活度较差，精度不高。有鉴于上述的缺陷，本设计人积极加以研究创新，以期创设一种wafer扩晶转移贴膜机构，使其更具有产业上的利用价值。发明内容为解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种结构简单、制造成本低、精度高且能实现在水平和竖直方向上移动的wafer扩晶转移贴膜机构。为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：一种wafer扩晶转移贴方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一，进行初始Wafer扩晶，令附着在薄膜上晶元之间的间距变大；步骤二，切膜机构切掉Ring中心的膜片；步骤三，进行Wafer与Ring的转移；步骤四，切割分离出扩晶部分，进行贴合。一种wafer扩晶转移贴膜机构，机构沿顶部从上往下依次设置第一平台、第二平台、第三平台、第四平台和切膜机构，第二平台、第三平台和切膜机构之间均通过四周的连接杆固定连接，第一平台上设置有同步带传送机构，包括驱动轮、同步带和从动轮，第二平台上设置有第一电机，第一电机与驱动轮相连接，并通过同步带、从动轮驱动升降丝杆上下移动，升降丝杆的一端与从动轮转动连接，另一端穿过第二平台后与第三平台固定连接，且升降丝杆与第二平台铰接，第三平台中间位置设置有第一固定块，第四平台上一端设置有第二电机，第二电机与水平移动丝杆的一端驱动连接，水平移动丝杆的另一端穿过第一固定块后固定设置在第四平台上，且水平移动丝杆通过第一固定块与第三平台铰接，第四平台上沿水平移动丝杆方向两侧还设置有滑轨，第三平台配合设置在滑轨上，切膜机构位于第四平台的底部；还包括设置在切膜机构下方的真空吸附装置和扩晶机构，扩晶机构的底部设置有气缸，扩晶机构的侧端通过安装座与减速机相连接，且安装座上靠近扩晶机构的位置设置有传感器。作为本发明的进一步改进，滑轨的两端设置有限制块。作为本发明的进一步改进，第一电机和第二电机均为伺服电机。作为本发明的进一步改进，升降丝杆和水平移动丝杆均为滚珠丝杆。作为本发明的进一步改进，减速机的安装座上还设置有电机翻转机构。借由上述方案，本发明至少具有以下优点：本发明结构简单、制造成本低且操作简便；同时设置有水平传动机构和竖直升降机构，灵活度高，加工精度高。上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。附图说明为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1是本发明一种wafer扩晶转移贴膜机构的结构示意图。其中，图中各附图标记的含义如下。1第一平台2第一电机3第二平台4第三平台5第二电机6第四平台7电机翻转机构8减速机9传感器10扩晶机构11气缸12切膜机构13真空吸附装置14升降丝杆15滑轨16限制块17水平移动丝杆18从动轮19同步带20驱动轮具体实施方式下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。一种wafer扩晶转移贴方法，其包括以下步骤：首先，进行初始Wafer扩晶，令附着在薄膜上晶元之间的间距变大。之后，切膜机构切掉Ring中心的膜片。随后，进行Wafer与Ring的转移。最终，切割分离出扩晶部分，进行贴合。实施例如图1所示，一种wafer扩晶转移贴膜机构，机构沿顶部从上往下依次设置第一平台1、第二平台3、第三平台4、第四平台6和切膜机构12，第二平台3、第三平台4和切膜机构12之间均通过四周的连接杆固定连接，第一平台1上设置有同步带传送机构，包括驱动轮20、同步带19和从动轮18，第二平台3上设置有第一电机2，第一电机2与驱动轮20相连接，并通过同步带19、从动轮18驱动升降丝杆14上下移动，升降丝杆14的一端与从动轮18转动连接，另一端穿过第二平台3后与第三平台4固定连接，且升降丝杆14与第二平台3铰接，第三平台4中间位置设置有第一固定块，第四平台6上一端设置有第二电机5，第二电机5与水平移动丝杆17的一端驱动连接，水平移动丝杆17的另一端穿过第一固定块后固定设置在第四平台6上，且水平移动丝杆17通过第一固定块与第三平台4铰接，第四平台6上沿水平移动丝杆17方向两侧还设置有滑轨15，第三平台4配合设置在滑轨15上，切膜机构12位于第四平台6的底部；还包括设置在切膜机构12下方的真空吸附装置13和扩晶机构10，扩晶机构10的底部设置有气缸11，扩晶机构10的侧端通过安装座与减速机8相连接，且安装座上靠近扩晶机构10的位置设置有传感器9。传感器9用来感应切膜机构12移动的位置，保证切膜机构12与扩晶机构10精准对接。优选的，滑轨15的两端设置有限制块16，限制块16起限制切膜机构12在水平方向上移动距离的作用。优选的，第一电机2和第二电机5均为伺服电机。优选的，升降丝杆14和水平移动丝杆17均为滚珠丝杆。优选的，减速机8的安装座上还设置有电机翻转机构7，电机翻转机构7的设置可以改变减速机8的安装角度。本发明工作过程及原理简述：初始Wafer扩晶以后，Ring上的薄膜发生变形，已经不能满足自动化生产的需求，需要将扩晶之后的Wafer进行转移来达到实际生产的需求。扩晶机构10通过扩大Ring上薄膜的大小，使附着在薄膜上晶元之间的间距变大，然后经过切割、转移、贴附等动作，实现了晶元的扩大以及转移。本发明一种wafer扩晶转移贴膜机构的驱动机构主要包括竖直升降机构和水平传动机构。竖直升降机构主要包括第一电机2、驱动轮20、同步带19、从动轮18以及升降丝杆14。第一电机2作为驱动端，通过驱动轮20、同步带19和从动轮18构成的同步带传送机构驱动升降丝杆14上下移动，由于升降丝杆14一端固定在第三平台4上，且第三平台4和切膜机构12通过四周的连接杆固定连接，因此升降丝杆14同步带动切膜机构12上下移动。水平传动机构主要包括第二电机5、滑轨15和水平移动丝杆17。水平移动丝杆17的一端与第二电机5驱动连接，水平移动丝杆17的另一端穿过第三平台上设置的第一固定块后固定在第三平台4上，且水平移动丝杆17与第一固定块铰接，滑轨15设置在第四平台6上，第三平台4可在滑轨15上水平移动。第二电机5驱动水平移动丝杆17移动，由于第三平台4通过四周的连接杆与切膜机构12固定连接，因此水平移动丝杆17带动切膜机构12水平移动。真空吸附装置13用来吸附Wafer，切膜机构12切掉Ring中心的膜片，扩晶机构10底部设置的气缸11上顶完成扩晶动作，然后切掉中心膜的Ring转移至扩晶机构10上方，两者进行贴合，随后切割分离出扩晶部分，贴合动作完毕。以上所述仅是本发明的优选实施方式，并不用于限制本发明，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。

权利要求：1.一种wafer扩晶转移贴方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一，进行初始Wafer扩晶，令附着在薄膜上晶元之间的间距变大；步骤二，切膜机构切掉Ring中心的膜片；步骤三，进行Wafer与Ring的转移；步骤四，切割分离出扩晶部分，进行贴合。2.一种wafer扩晶转移贴膜机构，其特征在于，所述机构沿顶部从上往下依次设置第一平台1、第二平台3、第三平台4、第四平台6和切膜机构12，所述第二平台3、第三平台4和切膜机构12之间均通过四周的连接杆固定连接，所述第一平台1上设置有同步带传送机构，包括驱动轮20、同步带19和从动轮18，所述第二平台3上设置有第一电机2，所述第一电机2与驱动轮20相连接，并通过同步带19、从动轮18驱动升降丝杆14上下移动，所述升降丝杆14的一端与从动轮18转动连接，另一端穿过第二平台3后与第三平台4固定连接，且升降丝杆14与第二平台3铰接，所述第三平台4中间位置设置有第一固定块，所述第四平台6上一端设置有第二电机5，所述第二电机5与水平移动丝杆17的一端驱动连接，水平移动丝杆17的另一端穿过第一固定块后固定设置在第四平台6上，且水平移动丝杆17通过第一固定块与第三平台4铰接，所述第四平台6上沿水平移动丝杆17方向两侧还设置有滑轨15，所述第三平台4配合设置在滑轨15上，所述切膜机构12位于第四平台6的底部；还包括设置在所述切膜机构12下方的真空吸附装置13和扩晶机构10，所述扩晶机构10的底部设置有气缸11，所述扩晶机构10的侧端通过安装座与减速机8相连接，且安装座上靠近扩晶机构10的位置设置有传感器9。3.如权利要求2所述的一种wafer扩晶转移贴膜机构，其特征在于，所述滑轨15的两端设置有限制块16。4.如权利要求2所述的一种wafer扩晶转移贴膜机构，其特征在于，所述第一电机2和第二电机5均为伺服电机。5.如权利要求2所述的一种wafer扩晶转移贴膜机构，其特征在于，所述升降丝杆14和水平移动丝杆17均为滚珠丝杆。6.如权利要求2所述的一种wafer扩晶转移贴膜机构，其特征在于，所述减速机8的安装座上还设置有电机翻转机构7。

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