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申请/专利权人：中国科学院计算技术研究所
申请日：2023-11-30
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN118019356A
专利技术分类：
专利摘要：本发明提出一种芯片、芯片制备方法，该芯片包含：一基板，由拼接分布的多个DRAM模块构成，每一所述DRAM模块为单层或多层DRAM；多个逻辑模块，每一所述所述DRAM模块配置至少一所述逻辑模块，放置于所述DRAM基板上层。本发明将多个DRAM模块拼接直接作为逻辑模块互联的基板，能够充分利用DRAM模块本身易实现的多层结构实现逻辑模块高密度、低延时互联。
专利权项：1.一种芯片，其特征在于，包括：一基板，由拼接分布的多个DRAM模块构成，每一所述DRAM模块为单层或多层DRAM；多个逻辑模块，每一所述所述DRAM模块配置至少一所述逻辑模块，放置于所述DRAM基板上层。
百度查询： 中国科学院计算技术研究所 芯片、芯片制备方法
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皖公网安备 34010402703815号