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申请/专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日：2023-10-31
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN117954465A
专利技术分类：...图像结构[2006.01]
专利摘要：一种全局快门像素包括具有存储节点和光电二极管区域的半导体衬底。衬底的前表面具有在平行于前表面的第一方向上在光电二极管区域与存储节点之间的第一凹陷区域，和在第一方向上在第一凹陷区域与存储节点之间的第二凹陷区域。第一凹陷区域和第二凹陷区域延伸到衬底中至相应的第一凹陷深度和超过第一凹陷深度的第二凹陷深度。光电二极管区域包括i第一掺杂部段，该第一掺杂部段跨越深度范围并具有第一掺杂剂浓度，和ii第二掺杂部段，该第二掺杂部段在前表面与第一掺杂部段之间并具有小于第一掺杂剂浓度的第二掺杂剂浓度。第一掺杂部段包括在第一方向上至少部分地在第一凹陷区域下方延伸的突伸部。
专利权项：1.一种全局快门像素，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括存储节点、光电二极管区域和前表面，所述前表面具有在平行于所述前表面的第一方向上在所述光电二极管区域与所述存储节点之间的第一凹陷区域，和在所述第一方向上在所述第一凹陷区域与所述存储节点之间的第二凹陷区域；所述第一凹陷区域和所述第二凹陷区域从所述前表面延伸到所述半导体衬底中至相应的第一凹陷深度和超过所述第一凹陷深度的第二凹陷深度；所述光电二极管区域包括i第一掺杂部段，所述第一掺杂部段跨越深度范围并具有第一掺杂剂浓度，和ii第二掺杂部段，所述第二掺杂部段在所述前表面与所述第一掺杂部段之间并具有小于所述第一掺杂剂浓度的第二掺杂剂浓度；所述第一掺杂部段包括在所述第一方向上至少部分地在所述第一凹陷区域下方延伸的突伸部。
百度查询： 豪威科技股份有限公司 全局快门像素
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