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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种抑制SiCMOSFET米勒平台电压骤降的驱动电路，分别设置于上桥臂和下桥臂；驱动电路中，一电阻的一端、第二电阻的一端、第三电阻的一端并联于推挽输出接口；第二电阻的另一端连接第一肖特基二极管的阴极，第三电阻的另一端连接电容的一端和N沟道场效应管的漏极；N沟道场效应管的栅极接第四电阻的一端，第四电阻的另一端接受控脉冲源的正极，受控脉冲源的阴极与N沟道场效应管的源极均连接第二肖特基二极管的阳极；第一肖特基二极管的阳极、第一电阻的另一端、电容的另一端、第二肖特基二极管的阴极均连接SiCMOSFET的栅极。本发明能够抑制SiCMOSFET功率器件的米勒平台电压大幅下降和栅极串扰。
主权项：1.一种抑制SiCMOSFET米勒平台电压骤降的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路分别设置于上桥臂和下桥臂；所述驱动电路包括四个电阻、两个肖特基二极管、一个电容、一个受控脉冲源和一个N沟道场效应管；其中，第一电阻的一端、第二电阻的一端、第三电阻的一端并联于推挽输出接口；第二电阻的另一端连接第一肖特基二极管的阴极，第三电阻的另一端连接所述电容的一端和所述N沟道场效应管的漏极；所述N沟道场效应管的栅极接第四电阻的一端，第四电阻的另一端接所述受控脉冲源的正极，所述受控脉冲源的阴极与所述N沟道场效应管的源极均连接第二肖特基二极管的阳极；第一肖特基二极管的阳极、第一电阻的另一端、所述电容的另一端、第二肖特基二极管的阴极均连接SiCMOSFET的栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种抑制SiC MOSFET米勒平台电压骤降的驱动电路
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