龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：广州市南沙区北科光子感知技术研究院;北京信息科技大学
摘要：本发明提供了一种优化InAsGaSb红外超晶格的制备方法，包括：对GaSb衬底除气；对GaSb衬底进行脱氧处理；在脱氧处理后的GaSb衬底上，生长GaSb缓冲层；在GaSb缓冲层上，生长InAsGaSb超晶格，其中，InAsGaSb超晶格生长过程按照如下方法控制炉源开关时间：打开Sb炉源的快门6s；同时打开In和Sb炉源的快门0.9s，进行InSb层的生长；关闭Sb炉源快门，同时打开In和As炉源的快门24.2s，进行InAs层的生长；关闭In炉源快门，仅打开As炉源快门6s；同时打开In和Sb炉源快门进行InSb界面层的生长；同时打开Ga和Sb炉源快门，进行GaSb层的外延生长。本发明可有效降低As背景压强扰动对于超晶格生长的影响，精确控制InAs五三比，提高超晶格晶体质量，提高红外探测器件性能。
主权项：1.一种优化InAsGaSb红外超晶格的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：步骤S1、对GaSb衬底除气；步骤S2、对GaSb衬底进行脱氧处理；步骤S3、在脱氧处理后的GaSb衬底上，生长GaSb缓冲层；步骤S4、在GaSb缓冲层上，生长InAsGaSb超晶格，其中，InAsGaSb超晶格生长过程按照如下方法控制炉源开关时间：步骤S41、打开Sb炉源的快门6s；步骤S42、同时打开In和Sb炉源的快门0.9s，进行InSb层的生长；步骤S43、关闭Sb炉源快门，同时打开In和As炉源的快门24.2s，进行InAs层的生长；步骤S44、关闭In炉源快门，仅打开As炉源快门6s；步骤S45、同时打开In和Sb炉源快门进行InSb界面层的生长；步骤S46、同时打开Ga和Sb炉源快门，进行GaSb外延层的外延生长。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 北京信息科技大学 一种优化InAs/GaSb红外超晶格的制备方法及InAs/GaSb超晶格
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号