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申请/专利权人：郑州炜盛电子科技有限公司
摘要：本发明提出了一种基于MEMS技术的混成电位型气体传感器及其制备方法，包括硅基底、设置在硅基底上的固态电解质层，固态电解质层上设有敏感电极、对电极和若干个焊盘，敏感电极、对电极分别通过导线与相应的焊盘连接。本发明通过采用硅基底，引入IC生产工艺，引入芯片集成化并拓展使用环境；本发明包括硅材料基底上设置超薄电解质层，超薄电解质层上设置工作电极、参比电极，此结构可减少器件厚度，保证器件的微型化；本发明采用MEMS工艺制备混成电位型气体传感器的技术，使得混成电位传感器结构发生更新，尺寸可微小化为亚毫米级。
主权项：1.基于MEMS技术的混成电位型气体传感器，其特征在于：包括硅基底、设置在硅基底上的固态电解质层，固态电解质层上设有敏感电极、对电极和若干个焊盘，敏感电极、对电极分别通过导线与相应的焊盘连接。
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权利要求：
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