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申请/专利权人：北京七星华创微电子有限责任公司
摘要：本申请涉及微电子封装技术领域，尤其是涉及一种TMV结构及其制备方法、封装结构，TMV结构包括基底、多个第一布线层、绝缘层、多个种子层和多个第二布线层；多个第一布线层间隔布置于基底上；绝缘层覆盖基底和第一布线层，绝缘层开有通孔，以使各第一布线层的一端露出；多个种子层布置于绝缘层表面，多个种子层间隔分布，种子层和第一布线层露出的端部一一对应且连接；多个第二布线层与多个种子层一一对应，且覆盖种子层。本申请具有可以不借助更先进的激光加工设备加工出直径更小的通孔，就能实现更高密度的互连的效果。
主权项：1.一种TMV结构，其特征在于，包括：基底（1）；多个第一布线层（2），间隔布置于所述基底（1）上；绝缘层（3），覆盖所述基底（1）和所述第一布线层（2），所述绝缘层（3）开设通孔（11），所述通孔（11）显露各所述第一布线层（2）的一端；以及，多个导电线路层，形成于所述绝缘层（3）的表面并延伸至所述通孔（11）中，多个所述导电线路层间隔分布，与多个所述第一布线层（2）一一对应，且与所述第一布线层（2）露出的端部连接，所述第一布线层（2）和对应的所述导电线路层连接后整体呈U形。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京七星华创微电子有限责任公司 TMV结构及其制备方法、封装结构
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