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摘要：本发明提供了一种基于DTMOS的电流镜单粒子瞬态加固方法，通过电流镜在有源设备的输出端子中产生电流的副本；电流镜包括一个根节点，并提供一个稳定的门源电压Vgs到多个叶节点，通过电路广泛地分布一个偏置；通过优化DTMOS的版图和电路结构，加入电容器和抵消电路，提高DTMOS的电流驱动能力和耐辐射能力，有效抑制SET引起的电路扰动，提高电路的可靠性和稳定性。通过辐射试验，可以测试DTMOS电流镜的性能和耐辐射能力。在电路中加入电容器和抵消电路，能够有效抑制SET引起的扰动，所提出的DTMOS电流镜具有较高的电流驱动能力和耐辐射能力，可用于高可靠性的空间集成电路IC，具有广阔的应用前景。
主权项：1.一种基于DTMOS的电流镜单粒子瞬态加固方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，通过电流镜在有源设备的输出端子中产生电流的副本；所述电流镜包括一个根节点，并提供一个稳定的门源电压Vgs到多个叶节点，通过电路广泛地分布一个偏置；输出电流的大小从out1到outn；通过选择相应的设备尺寸WL来独立设置；忽略信道长度调制，MOS电流镜的输出漏电流；步骤二，当一个高能粒子到达电流镜的敏感区域时，重离子击中根晶体管M0；这将导致M0坍塌到n，在M0的漏极和栅极节点上观察到正的SET扰动；输出镜像电流Iout1到我outn会因为门-源电压|V的降低而降低gs在叶节点根节点的扰动会影响到电路中的所有叶节点；步骤三，重离子撞击叶片晶体管M1；将导致M1的漏极电势坍缩到n井内置电位，在输出电流I时将观察到正的SET扰动out1，而其他节点保持不变；叶节点会受到粒子对电路的影响。
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百度查询： 中国人民解放军国防科技大学 一种基于DTMOS的电流镜单粒子瞬态加固方法
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