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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日：2018-03-23
公开（公告）日：2023-06-02
公开（公告）号：CN110520965B
专利技术分类：..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜[2006.01]
专利摘要：本发明包括：储存罐102，其储存包含第一处理液硫酸和第二处理液过氧化氢水溶液的处理液；使储存于储存罐102的处理液循环的循环路径104，其具有使处理液在水平方向上通过的第一管路104a；向处理单元16供给处理液的分支路径112；和分支部112a，其具有使处理液从第一管路104a向分支路径112流出的开口1121，在分支部112a中剖视第一管路104a时，开口1121设置于第一管路104a的周缘下方。
专利权项：1.一种用于向基片处理装置供给处理液的供液装置，其特征在于，包括：储存部，其储存包含第一处理液和第二处理液的处理液；使储存于所述储存部的所述处理液循环的循环路径，所述循环路径具有使所述处理液在水平方向上通过的第一管路；分支路径，其向所述基片处理装置供给所述处理液；和设置在所述分支路径上的流量计；分支部，其具有使处理液从所述第一管路向所述分支路径流出的开口，在所述分支部中，剖视所述第一管路时，所述开口设置于所述第一管路的周缘中的下部，所述分支路径具有从所述开口向下方延伸后又折返向上方并向所述流量计延伸的管路。
百度查询： 东京毅力科创株式会社 供液装置和供液方法
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