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申请/专利权人：西安交通大学
摘要：本发明涉及电力半导体封装技术领域，尤其涉及一种SiCMOSFET多芯片并联子单元压接封装结构，包括双面DBC陶瓷板、弹性组合、栅极钼片端子、源极钼片端子、漏极钼片端子、单面DBC陶瓷板、SiCMOSFET芯片和散热器，多个SiCMOSFET芯片均与单面DBC陶瓷板表面连接，且露出SiCMOSFET芯片表面的栅极和源极；SiCMOSFET芯片的漏极电极与单面DBC陶瓷板相连，SiCMOSFET芯片的栅极电极分别通过四个栅极钼片端子引出，漏极钼片端子与单面DBC陶瓷板连接，栅极钼片端子与双面DBC陶瓷板上的栅极部分连接，源极钼片端子与双面DBC陶瓷板上的源极部分连接；单面DBC陶瓷板和双面DBC陶瓷板均采用Al2O3材料制成。本发明解决了传统层叠型封装无法适应硅器件的高温、高压、高频等要求的问题。
主权项：1.一种SiCMOSFET多芯片并联子单元压接封装结构，其特征在于，包括双面DBC陶瓷板4、弹性组合5、四个栅极钼片端子6、两个源极钼片端子7、两个漏极钼片端子8、两个单面DBC陶瓷板1、四个SiCMOSFET芯片2和两个散热器9，两个单面DBC陶瓷板1相对设置，双面DBC陶瓷板4设置于两个单面DBC陶瓷板1之间；单面DBC陶瓷板1远离双面DBC陶瓷板4的一侧与散热器9连接，单面DBC陶瓷板1与散热器9一一对应；四个SiCMOSFET芯片2平均分为两组分别与两个单面DBC陶瓷板1连接，且露出SiCMOSFET芯片2表面的栅极和与源极，两组SiCMOSFET芯片2对称设置；SiCMOSFET芯片2的漏极电极与单面DBC陶瓷板1相连，SiCMOSFET芯片2的栅极电极分别通过四个栅极钼片端子6引出，弹性组合5设置于SiCMOSFET芯片2与双面DBC陶瓷板4之间；漏极钼片端子8与单面DBC陶瓷板1连接，栅极钼片端子6与双面DBC陶瓷板4上的栅极部分连接，源极钼片端子7与双面DBC陶瓷板4上的源极部分连接；单面DBC陶瓷板1和双面DBC陶瓷板4均采用Al2O3材料制成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安交通大学 一种SiCMOSFET多芯片并联子单元压接封装结构
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