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申请/专利权人:高通股份有限公司
摘要:本公开涉及电力轨入界线中部MOL布线。在某些方面,一种半导体管芯包括电力轨、第一栅极和第二栅极。该半导体管芯还包括:电耦合到第一栅极的第一栅极接触部,其中第一栅极接触部由第一线中部MOL金属层形成;以及电耦合到第二栅极的第二栅极接触部,其中第二栅极接触部由第一MOL金属层形成。该半导体管芯进一步包括由第二MOL金属层形成的互连部,其中互连部电耦合到第一和第二栅极接触部,并且互连部的至少一部分在电力轨下方。
主权项:1.一种半导体管芯,包括:电力轨,所述电力轨由M1金属层形成;第一栅极;第二栅极;第一栅极接触部,电耦合到所述第一栅极,其中所述第一栅极接触部由第一线中部MOL金属层形成,所述第一MOL层在所述M1金属层下方;第二栅极接触部,电耦合到所述第二栅极,其中所述第二栅极接触部由所述第一MOL金属层形成;以及互连部,由第二MOL金属层形成,所述第二MOL金属层在所述M1金属层下方,所述互连部电耦合到所述第一栅极接触部和所述第二栅极接触部,且所述互连部的至少一部分在所述电力轨正下方。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 高通股份有限公司 电力轨入界线中部(MOL)布线
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