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申请/专利权人：大连理工大学;大连理工大学宁波研究院
摘要：本发明属于热电材料技术领域，提供了一种A位多构型熵half‑Heusler合金热电材料及其制备方法。本发明的热电材料的化学式为M1‑xZxCoSb；式中，M为Ti、Zr和Hf按照摩尔比1：1：1复配；Z为与M相邻族中的同一族中的至少两种元素；0.1≤x≤0.3。本发明的热电材料具备高的构型熵和化学复杂性，使得热电材料表现出严重的晶格畸变和无序性。同时，应力场和质量场的存在进一步增强了声子的散射，从而有效地降低了热电材料的晶格热导率，进而使得热电材料具备本征低热导率。此外，通过在A位掺杂临近族元素，产生施主掺杂或者受主掺杂的效果，从而增加载流子浓度，实现高电导率和优化功率因子的目标。
主权项：1.一种A位多构型熵half-Heusler合金热电材料，其特征在于，化学式为M1-xZxCoSb；所述化学式中，M为Ti、Zr和Hf按照摩尔比1：1：1复配；Z为与M相邻族中的同一族中的至少两种元素；0.1≤x≤0.3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 大连理工大学 大连理工大学宁波研究院 一种A位多构型熵half-Heusler合金热电材料及其制备方法
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