龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：博尔博公司
申请日：2020-02-12
公开（公告）日：2021-11-26
公开（公告）号：CN113707773A
专利技术分类：...在发光区中，例如量子限制结构或隧道势垒[2010.01]
专利摘要：本申请提供了包含一个或多个正电荷薄层或包含具有特定厚度的交替堆叠的AlGaN势垒和AlGaN势阱的异质结构。还提供了多量子阱结构和p型接触。所述异质结构、多量子阱结构和p型接触可用于发光器件和光电探测器。
专利权项：1.一种用于发光器件或光电探测器的多量子阱结构，包括交替堆叠的AlGaN势垒和AlGaN势阱，其中，所述AlGaN势垒和所述AlGaN势阱中的每一个的厚度分别满足： 其中，hi是第i个AlGaN势垒或势阱的厚度；σi是所述第i个AlGaN势垒或势阱的表面上的电荷薄层的薄层电荷密度，所述表面相对于所述第i个AlGaN势垒或势阱中的净激活掺杂剂带相反的电荷；以及ρ0i＝eNDi-eNAi是最大体电荷密度，被所施加的掺杂浓度所允许，位于由所述电荷薄层生成的所述第i个AlGaN势垒或势阱的耗尽区中，NDi和NAi分别是所述第i个AlGaN势垒或势阱中的施主和受主浓度，e是基本电荷电量。
百度查询： 博尔博公司 异质结构以及采用异质结构的发光器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号