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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日：2020-08-03
公开（公告）日：2021-02-23
公开（公告）号：CN112397375A
专利技术分类：..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜[2006.01]
专利摘要：本发明提供基片和基片处理方法。基片包括：作为蚀刻的对象的被蚀刻膜；和第1膜。第1膜形成于被蚀刻膜上，由与被蚀刻膜相比对于蚀刻的蚀刻速率低的材料形成。第1膜中，在表面的一方向以第1间隔形成有多个第1开口。第1膜中，在一方向的多个第1开口的外侧，以距最外侧的第1开口和第1间隔相同程度的第2间隔且比第1开口宽的宽度，形成有与第1开口相比深度浅的第2开口。本发明能够抑制形成于被蚀刻膜的各开口的形状之间产生差异。
专利权项：1.一种基片，其特征在于，包括：作为蚀刻的对象的被蚀刻膜；和形成于所述被蚀刻膜上的第1膜，所述第1膜由与所述被蚀刻膜相比对于蚀刻的蚀刻速率低的材料形成，在表面的一方向以第1间隔形成有多个第1开口，在所述一方向的所述多个第1开口的外侧，以距最外侧的所述第1开口与所述第1间隔相同程度的第2间隔且比所述第1开口宽的宽度，形成有与所述第1开口相比深度浅的第2开口。
百度查询： 东京毅力科创株式会社 基片和基片处理方法
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