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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
申请日：2020-08-18
公开（公告）日：2020-12-08
公开（公告）号：CN112053956A
专利技术分类：......带有绝缘栅的[2006.01]
专利摘要：本申请公开了一种MOSFET的制作方法及MOSFET，该方法包括：在衬底上形成栅氧层，衬底包括硅，栅氧层包括二氧化硅；在栅氧层上沉积形成多晶硅层；通过干法刻蚀去除目标区域的多晶硅层和栅氧层，剩余的栅氧层形成MOSFET的栅氧，剩余的多晶硅层形成MOSFET的栅极；对栅极两侧的衬底进行LDD注入，分别形成第一LDD区和第二LDD区；进行SD注入，在栅极两侧的衬底中分别形成源极和漏极；其中，在栅氧层上沉积形成多晶硅层之后的任一步骤之前，进行氟离子注入使氟元素扩散至栅氧和衬底的界面处。本申请通过在形成多晶硅层之后进行氟离子注入使氟元素扩散至栅极和衬底的界面，从而使氟元素取代界面的部分氢元素，使氟元素取代界面的部分氢元素，减弱了NBTI效应或HCI效应。
专利权项：1.一种MOSFET的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上形成栅氧层，所述衬底包括硅，所述栅氧层包括二氧化硅；在所述栅氧层上沉积形成多晶硅层；通过干法刻蚀去除目标区域的多晶硅层和栅氧层，剩余的栅氧层形成所述MOSFET的栅氧，剩余的多晶硅层形成所述MOSFET的栅极；对所述栅极两侧的衬底进行LDD注入，分别形成第一LDD区和第二LDD区；进行SD注入，在所述栅极两侧的衬底中分别形成源极和漏极；其中，在所述栅氧层上沉积形成多晶硅层之后的任一步骤之前，进行氟离子注入使氟元素扩散至所述栅氧和所述衬底的界面处。
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 MOSFET的制作方法及MOSFET
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