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申请/专利权人：株式会社迪思科
申请日：2015-09-06
公开（公告）日：2020-09-18
公开（公告）号：CN105405753B
专利技术分类：.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割[2006.01]
专利摘要：本发明提供保护覆盖膜的覆盖方法，无论晶片的正面形状如何，都能够在晶片的正面均匀地形成保护覆盖膜。保护覆盖膜的覆盖方法构成为包括：树脂片载置工序，由膜状的树脂片10覆盖晶片W的正面整个区域；贴合工序，将在树脂片载置工序中覆盖了晶片的正面整个区域的树脂片贴紧于正面而贴合树脂片；以及硬化工序，使经过了贴合工序的树脂片硬化，根据本方法，在晶片的正面形成与树脂片的厚度对应的保护覆盖膜。
专利权项：1.一种保护覆盖膜的覆盖方法，由树脂在板状的晶片的正面形成保护覆盖膜，该覆盖方法包括：树脂片载置工序，利用包含凝胶状的保护树脂的膜状的树脂片而使该保护树脂覆盖整个该正面，该凝胶状的保护树脂具有水溶性并且具有不会从该正面流出到晶片的外侧的程度的粘度；贴合工序，向在该树脂片载置工序中覆盖了整个该正面的该树脂片喷射气体而使该保护树脂贴紧于该正面而贴合该树脂片；以及硬化工序，使经过了该贴合工序的该保护树脂硬化。
百度查询： 株式会社迪思科 保护覆盖膜的覆盖方法
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