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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日：2019-08-26
公开（公告）日：2020-03-10
公开（公告）号：CN110875217A
专利技术分类：.专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置[2006.01]
专利摘要：本发明提供一种缩短基片处理装置的整体长度的技术。实施方式的基片处理装置包括涂敷线、第一输送部、热处理线和第二输送部。涂敷线在基片上涂敷处理液。第一输送部将基片输送到涂敷线。热处理线与涂敷线并排配置，对涂敷了处理液的基片进行热处理。第二输送部从涂敷线将涂敷了处理液的基片输送到热处理线。第一输送部将进行了热处理的基片从热处理线送出。
专利权项：1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：在基片上涂敷处理液的涂敷线；将所述基片输送到所述涂敷线的第一输送部；与所述涂敷线并排配置，对涂敷了所述处理液的所述基片进行热处理的热处理线；和将涂敷了所述处理液的所述基片从所述涂敷线输送到所述热处理线的第二输送部，所述第一输送部将进行了所述热处理的所述基片从所述热处理线送出。
百度查询： 东京毅力科创株式会社 基片处理装置和基片处理方法
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