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申请/专利权人：索尼公司
申请日：2012-11-26
公开（公告）日：2017-04-05
公开（公告）号：CN103137855B
专利技术分类：
专利摘要：本发明公开一种存储元件和存储设备。存储元件具有层叠的结构，包括：存储层，其具有与膜表面垂直的磁化，并且磁化方向取决于信息而变化，并包括Co‑Fe‑B磁性层，磁化方向通过在层叠结构的层叠方向施加电流以在存储层中记录信息而改变，磁化固定层，其具有与变成存储在存储层中的信息的基准的膜表面垂直的磁化，以及中间层，其由非磁性材料形成，并设置在存储层和磁化固定层之间；第一氧化层和第二氧化层。
专利权项：一种存储元件，包括：层叠结构，包括：存储层，其具有与膜表面垂直的磁化，并且磁化方向取决于信息而变化，并包括Co‑Fe‑B磁性层，通过在所述层叠结构的层叠方向施加电流而改变所述磁化方向以在所述存储层中记录所述信息，磁化固定层，其具有与成为存储在所述存储层中的信息的基准的膜表面垂直的磁化，以及中间层，其由非磁性材料形成，并设置在所述存储层和所述磁化固定层之间；第一氧化层，其至少形成在与所述存储层接触的所述中间层和所述存储层之间的界面上；以及第二氧化层，其至少形成在位于所述中间层相反的一侧与所述存储层接触的不同层和所述存储层之间的界面上，所述不同层的所述第二氧化层是包含Li的Li基氧化层；以及下覆层，形成在所述磁化固定层的与所述中间层相反的一侧上，并且在所述下覆层中层叠包括不同材料的多个层；所述存储层包括所述Co‑Fe‑B磁性层和至少一个非磁性层，所述非磁性层包含Ta。
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