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申请/专利权人：索尼公司
申请日：2012-11-26
公开（公告）日：2017-06-16
公开（公告）号：CN103151454B
专利技术分类：
专利摘要：本发明提供了存储元件和存储设备。存储元件包括分层结构以及负热膨胀材料层。分层结构包括存储层、磁化固定层和中间层。存储层具有磁化方向随着信息而改变的、与膜面垂直的磁化性，并包括具有正磁致伸缩常数的磁性层。通过沿着分层结构的层叠方向施加电流来改变磁化方向，以在存储层中记录信息。磁化固定层具有与膜面垂直的磁化性，并成为存储层中存储的信息的基础。中间层由非磁性材料形成，并设置在存储层与磁化固定层之间。
专利权项：一种存储元件，包括：分层结构，包括：存储层，其具有磁化方向随着信息而改变的、与膜面垂直的磁化性，并包括具有正磁致伸缩常数的磁性层，通过沿着所述分层结构的层叠方向施加电流来改变所述磁化方向，以在所述存储层中记录信息；磁化固定层，其具有与膜面垂直的磁化性，并成为所述存储层中存储的信息的基础；以及中间层，其由非磁性材料形成，并设置在所述存储层与所述磁化固定层之间；以及负热膨胀材料层，其设置在与所述存储层邻接且隔着所述存储层与所述中间层相对的不同层中，其中，第一氧化物层形成在位于与所述存储层接触的所述中间层与所述存储层之间的第一界面上，第二氧化物层形成在在与所述中间层相反侧接触所述存储层的所述不同层与所述存储层之间的第二界面上。
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