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申请/专利权人：应用材料公司
申请日：2010-09-23
公开（公告）日：2012-09-12
公开（公告）号：CN102668061A
专利技术分类：...组件间隔离区的制作[2006.01]
专利摘要：本发明描述用以在一图案化基材上形成高密度间隙填充氧化硅的处理。此处理增加间隙填充氧化硅的密度，尤其是在窄沟槽中的浓度。也可增加宽沟槽与凹陷开放区域中的密度。在处理后，窄沟槽与宽沟槽开放区域中的间隙填充氧化硅的密度变得更近似，这容许蚀刻速率更密切地匹配的。此效应也可被描述成图案负载效应的减少。此处理涉及了形成且接着平坦化氧化硅。平坦化暴露了更靠近窄沟槽的新介电质界面。新暴露的界面可通过退火和或将经平坦化的表面暴露给等离子体来促进致密化。
专利权项：一种处理一图案化基材上的一含硅与氧层的方法，所述图案化基材具有一窄沟槽与一凹陷开放区域，所述方法包含下列步骤：在所述图案化基材上形成一含硅与氧层，包括在所述窄沟槽中与在所述凹陷开放区域中形成一含硅与氧层；平坦化所述含硅与氧层，而在所述窄沟槽中留下一窄间隙填充部分以及与在所述凹陷开放区域中留下一宽间隙填充部分，其中平坦化所述含硅与氧层的步骤包含移除所述窄沟槽上方的所述含硅与氧层的一部分及暴露一后平坦化介电质界面，其中所述后平坦化介电质界面比一相应的预平坦化介电质界面更靠近所述窄沟槽；及在所述平坦化操作后，处理所述基材，以增加所述窄间隙填充部分的密度，其中更靠近所述窄沟槽的所述后平坦化介电质界面容许所述窄间隙填充部分变得比所述基材在所述平坦化操作前被处理更致密。
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