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申请/专利权人：三井化学株式会社
申请日：2003-09-08
公开（公告）日：2007-08-15
公开（公告）号：CN1331745C
专利技术分类：..硅石；其水合物，如勒皮硅酸[2006.01]
专利摘要：本发明为一种主要由Si-O结合构成的多孔质薄膜的改质方法，其将具有1个或1个以上的Si-X-Si结合单元X表示O、NR、CnH2n或C6H4、R表示CmH2m+1或C6H5、m为1～6的整数、n为1或2、和2个或2个以上的Si-A结合单元A表示H、OH、OCeH2e+1或卤原子、e为1～6的整数同一分子内的A相同或相异均可的有机硅化合物与该多孔质薄膜接触，并进行不使用金属催化剂的热处理。由该方法取得的多孔质薄膜，其疏水性和机械强度均相当优异，故可以使用于光机能材料、电子机能材料。尤其是非常适用于半导体用材料，可以适用作为半导体装置的层间绝缘膜。
专利权项：1.多孔质薄膜的改质方法，其特征在于：将具有1个或1个以上的Si-X-Si结合单元和2个或2个以上的Si-A结合单元的有机硅化合物与主要由Si-O结合构成的多孔质薄膜接触，并进行不使用金属催化剂的热处理，其中，X表示O、NR、CnH2n或C6H4、R表示CmH2m+1或C6H5、m为1～6的整数、n为1或2；A表示H、OH、OCeH2e+1或卤原子、e为1～6的整数，同一分子内的A相同或相异。
百度查询： 三井化学株式会社 多孔质薄膜的改质方法及被改质的多孔质薄膜及其用途
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