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申请/专利权人：索尼公司
申请日：2012-11-26
公开（公告）日：2013-06-05
公开（公告）号：CN103137853A
专利技术分类：
专利摘要：本发明公开了存储元件和存储设备。提供了一种具有分层结构的存储元件，包括具有与其磁化方向对应于信息发生改变的薄膜面相垂直的磁化的存储层，并包括Co-Fe-B磁层和至少一个非磁层；其中通过使电流以分层结构的层压方向流动来改变存储层的磁化方向，以便将信息记录到存储层中，具有与成为存储在存储层的信息的基础的薄膜面相垂直的磁化的磁化固定层，和由非磁性材料形成的位于存储层和磁化固定层之间的中间层，还包括氧化物层、Co-Fe-B磁层和非磁层层压而成的层状结构。
专利权项：一种存储元件，包括：分层结构，其包括：具有与其磁化方向取决于信息发生改变的薄膜面相垂直的磁化的存储层，所述存储层包括Co‑Fe‑B磁层和至少一个非磁层，其中，通过施加电流到所述分层结构的层压方向来改变所述磁化方向，以便将所述信息记录到所述存储层中，具有与成为存储在所述存储层的信息的基础的薄膜面相垂直的磁化的磁化固定层，以及由非磁性材料形成的位于所述存储层和所述磁化固定层之间的中间层；以及氧化物层、所述Co‑Fe‑B磁层和所述非磁层层压而成的层状结构。
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