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申请/专利权人：索尼公司
申请日：2012-11-23
公开（公告）日：2017-03-01
公开（公告）号：CN103137852B
专利技术分类：
专利摘要：本发明提供了一种存储元件和存储设备。存储元件包括分层结构：存储层，其具有根据信息来变化的磁化方向，通过在分层结构的层压方向上施加电流来改变磁化方向以将信息记录在存储层中，存储层包括第一铁磁层，其具有倾斜于与膜表面垂直的方向的磁化方向，键合层，其层压在第一铁磁层上，以及第二铁磁层，其层压在键合层上并经由键合层与第一铁磁层键合，第二铁磁层具有倾斜于与膜表面垂直的方向的磁化方向；磁化固定层，其具有固定的磁化方向；中间层，其被配置在存储层与磁化固定层之间，并与第一铁磁层接触；以及覆盖层，其与第二铁磁层接触。
专利权项：一种存储元件，包括：分层结构，其包括：存储层，其具有根据信息来变化的磁化方向，通过在所述分层结构的层压方向上施加电流来改变所述磁化方向以将信息记录在所述存储层中，所述存储层包括：第一铁磁层，其具有倾斜于与膜表面垂直的方向的磁化方向，其中，所述与膜表面垂直的方向是所述分层结构的层压方向，键合层，其层压在所述第一铁磁层上，以及第二铁磁层，其层压在所述键合层上，并经由所述键合层与所述第一铁磁层键合，所述第二铁磁层具有倾斜于与所述膜表面垂直的方向的磁化方向，所述第一铁磁层和所述第二铁磁层中的一个铁磁层的磁化方向更靠近所述膜表面垂直的方向，另一铁磁层的磁化方向更靠近所述膜表面平行的方向；磁化固定层，其具有与所述膜表面垂直的磁化方向；中间层，其被配置在所述存储层与所述磁化固定层之间，并与所述第一铁磁层接触；以及覆盖层，其与所述第二铁磁层接触。
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