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申请/专利权人：清华大学
申请日：2015-04-28
公开（公告）日：2015-07-29
公开（公告）号：CN104805407A
专利技术分类：..溅射[2006.01]
专利摘要：本发明涉及一种溅射靶，由CuyIn1-xGaxSe2粉末及单质Se粉末混合后烧结形成，该溅射靶中含有CuyIn1-xGaxSe2+z。本发明还涉及一种溅射靶的制备方法，包括将CuyIn1-xGaxSe2粉末和单质Se粉末在液态介质中进行球磨混合，再将球磨后的混合物烘干去除该液态介质；以及采用热压烧结、常压烧结或热等静压烧结工艺，对球磨后得到的混合体在400°C~900°C进行烧结。
专利权项：一种溅射靶，其特征在于，由CuyIn1‑xGaxSe2粉末及单质Se粉末混合后烧结形成，该溅射靶中含有CuyIn1‑xGaxSe2+z或CuyIn1‑xGaxSe2+z与单质Se的组合。
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