恭喜株式会社半导体能源研究所山崎舜平获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社半导体能源研究所申请的专利存储装置、半导体装置及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111656512B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980010121.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储装置、半导体装置及电子设备是由山崎舜平;加藤清;热海知昭;长塚修平;国武宽司设计研发完成，并于2019-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储装置、半导体装置及电子设备在说明书摘要公布了：提供一种新颖存储装置以及新颖半导体装置。一种在控制电路的上方层叠设置有包括多个存储单元的单元阵列的存储装置，单元阵列按每多个块工作。另外，在控制电路和单元阵列之间包括多个电极。电极设置于每块并与块重叠地设置，各块的电极的电位可以不同。电极被用作包括在存储单元中的晶体管的背栅极，在各块电极的电位不同时，可以改变包括在存储单元中的晶体管的电特性。另外，电极可以降低在控制电路中产生的噪声。
本发明授权存储装置、半导体装置及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储装置，包括：第一电路；所述第一电路上的第一及第二电极；以及包括第一存储单元阵列和第二存储单元阵列的第二电路，其中，所述第一存储单元阵列及所述第二存储单元阵列各自包括多个存储单元，所述多个存储单元各自包括第一晶体管及电容器，所述第一晶体管包括栅极和背栅极，所述第一存储单元阵列具有隔着所述第一电极与所述第一电路重叠的区域，所述第二存储单元阵列具有隔着所述第二电极与所述第一电路重叠的区域，所述第一电极被用作所述第一存储单元阵列所包括的所述第一晶体管的所述背栅极，所述第二电极被用作所述第二存储单元阵列所包括的所述第一晶体管的所述背栅极，并且，所述第一电极和所述第二电极各自具有条纹状、田字状中的任一者。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社半导体能源研究所，其通讯地址为：日本神奈川；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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