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龙图腾网恭喜佛山市国星半导体技术有限公司申请的专利一种高晶体质量的外延结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110246942B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910513250.8，技术领域涉及：H10H20/825；该发明授权一种高晶体质量的外延结构是由黎国昌;颜君波;周佳民设计研发完成，并于2019-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高晶体质量的外延结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高晶体质量的外延结构，从下至上依次包括衬底、AlN薄膜层、高温缓冲层、非掺氮化镓层、N型层、多量子阱有源层、电子阻挡层、P型层以及P型接触层，所述AlN薄膜层的材料为AlN，所述高温缓冲层的材料为AlxGa1‑xN0≤x≤1，生长温度为700～1000℃。

本发明授权一种高晶体质量的外延结构在权利要求书中公布了：1.一种高晶体质量的外延结构，其特征在于，从下至上依次包括衬底、AlN薄膜层、高温缓冲层、非掺氮化镓层、N型层、多量子阱有源层、电子阻挡层、P型层以及P型接触层，所述AlN薄膜层的材料为AlN，所述高温缓冲层的材料为AlxGa1-xN0≤x≤1，生长温度为700~1000℃；所述高温缓冲层在经过清洗的AlN薄膜层上形成，清洗时间为2~5min，清洗温度为40~60℃；所述AlN薄膜层的厚度为5~50nm，所述高温缓冲层的厚度为5~100nm；所述多量子阱有源层包括相互间隔设置的至少一层垒层与至少一层阱层，所述阱层包括第一N-GaN层，设于所述第一N-GaN层上的电流均化层，以及设于所述电流均化层上的第二N-GaN层，所述电流均化层通过在GaN中掺杂Al、B、氮化硅中的一种或几种形成。

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