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龙图腾网恭喜湖南省正源储能材料与器件研究所申请的专利一种高熵层状氧化物材料、制备方法、正极极片、二次电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119069710B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411559801.1，技术领域涉及：H01M4/62；该发明授权一种高熵层状氧化物材料、制备方法、正极极片、二次电池是由李荐;盛天都;聂海英设计研发完成，并于2024-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高熵层状氧化物材料、制备方法、正极极片、二次电池在说明书摘要公布了：本发明公开一种高熵层状氧化物材料、制备方法、正极极片、二次电池，所述材料化学通式为：NaaKxNibFecMndCueTifMgO2+β，其中，K位于钠层，Ni、Fe、Mn、Cu、Ti、M位于过渡金属层，其中0.7a≤1；0x≤0.1；0.05b≤0.35；0.05c≤0.2；0.05d≤0.35；0e≤0.1；0.05f≤0.2；0g≤0.1；‑0.02≤β≤0.02；m为所述M元素的价态。制备方法为固相法+原位法，所述高熵层状氧化物材料的晶体结构为O3相，空间群为R3m。所述高熵层状氧化物材料用于钠离子二次电池的正极活性材料。

本发明授权一种高熵层状氧化物材料、制备方法、正极极片、二次电池在权利要求书中公布了：1.一种高熵层状氧化物材料，其特征在于，所述高熵层状氧化物材料化学通式为：NaaKxNibFecMndCueTifMgO2+β，通过充放电的形式在钠层中掺杂大离子半径钾金属元素起到稳定层状结构作用，所述充放电的形式为：将未掺杂K元素层状氧化物材料NaaNibFecMndCueTifMgO2+β制成正极与钾片进行电化学组装，电解质使用的是NaPF6+5%KPF6，溶剂是碳酸乙烯酯和碳酸二乙酯，在电压范围1.5-4.5V进行0.1C充放电，完成2-10个循环后拆解、破碎、除杂清洗，并经过充分干燥后获得了所述的高熵层状氧化物材料；其中，K位于钠层，Ni、Fe、Mn、Cu、Ti、M位于过渡金属层，M为取代元素，具体为镁、锌、钒、铬、锆、铌、钼、钌、锡、锑、铝元素中的一种或多种元素；所述a，b，c，d，e，f，g，x，β分别为对应元素所占的摩尔百分比，所述摩尔百分比之间的关系满足b+c+d+e+f+g＝1，且a+x+2b+3c+4d+2e+4f+mg＝22+β；其中0.7a≤1；0x≤0.1；0.05b≤0.35；0.05c≤0.2；0.05d≤0.35；0e≤0.1；0.05f≤0.2；0g≤0.1；-0.02≤β≤0.02；m为所述M元素的价态；所述高熵层状氧化物材料的晶体结构为O3相，空间群为R3m。

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