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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113299645B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011292041.4，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权集成电路及其形成方法是由王朝勋;王美匀;赵高毅;薛婉容设计研发完成，并于2020-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成电路及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明的各个实施例提供了用于将接触件连接至栅电极的先通孔工艺。在一些实施例中，形成接触件，接触件穿过第一层间介电ILD层延伸至与栅电极邻接的源极漏极区域。沉积覆盖第一ILD层和接触件的蚀刻停止层ESL，并且沉积覆盖ESL的第二ILD层。对第一ILD层和第二ILD层以及蚀刻停止层执行第一蚀刻，以形成暴露栅电极的第一开口。对第二ILD层和蚀刻停止层执行一系列蚀刻，以形成位于接触件上面并且与第一开口重叠的第二开口，使得第二开口的底部从接触件向下倾斜至第一开口。形成填充第一开口和第二开口的栅极至接触件GC结构。本发明的实施例还涉及集成电路及其形成方法。

本发明授权集成电路及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路（IC），包括：衬底；源极漏极区域，位于所述衬底的顶部上面并且插入到所述衬底的顶部中；栅电极，与所述衬底上方的所述源极漏极区域邻接；第一层级接触件，位于所述源极漏极区域上面并且电耦合至所述源极漏极区域；第二层级接触件，位于所述第一层级接触件和所述栅电极上面并且穿过蚀刻停止层；以及栅极通孔，从所述第二层级接触件延伸至所述栅电极，其中，所述第二层级接触件的底面从所述第一层级接触件向下倾斜至所述栅极通孔其中，所述底面还具有第一部分，所述第一部分与所述栅极通孔分别位于所述第一层级接触件的相对两侧，所述第一部分低于所述蚀刻停止层的底面，其中，所述第一层级接触件的顶面与所述第二层级接触件的底面接触并相比于所述第一部分凸起。

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