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龙图腾网恭喜福建华佳彩有限公司申请的专利一种TFT阵列基板及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112103244B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011001924.5，技术领域涉及：H10D86/01；该发明授权一种TFT阵列基板及其制作方法是由宋安鑫;李元行;韩正宇设计研发完成，并于2020-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种TFT阵列基板及其制作方法在说明书摘要公布了：发明公开了一种TFT阵列基板及其制作方法，基板分为第一TFT区域和第二TFT区域；第一TFT区域制作第一有源层，将第一有源层划分为沟道区域和导体化区域；沟道区域上制作第一栅极绝缘层；第一栅极绝缘层上制作第一金属层；制作隔离层，蚀刻位于第二TFT区域上的所隔离层；蚀刻隔离层，形成两个第一通孔；同时制作第一源极、第一漏极和第二金属层，第一源极、第一漏极通过两个第一通孔与有源层上的导体化区域连接；所第二金属层置于第二TFT区域上。通过TFT阵列基板定义为两个区域，减少第二TFT退火制程H离子扩散，提升第二TFT器件稳定性，同时由于隔离层仅保留在第一TFT区域，第二TFT膜层厚度减薄，透过率增大，可提升显示效果。

本发明授权一种TFT阵列基板及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括步骤：将基板分为第一TFT区域和第二TFT区域；于第一TFT区域制作第一有源层，并将第一有源层划分为沟道区域和导体化区域，所述导体化区域设置于所述沟道区域两侧；于所述沟道区域上制作第一栅极绝缘层；于第一栅极绝缘层上制作第一金属层；制作含有SiNx的隔离层，并蚀刻隔离层，去除位于所述第二TFT区域上的所述隔离层并形成以所述导体化区域为底的两个第一通孔；同时制作第一源极、第一漏极和第二金属层，所述第一源极、第一漏极分别通过两个所述第一通孔与所述有源层上的导体化区域连接；所第二金属层置于所述第二TFT区域上；制作第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层设置在所述第一TFT区域和第二TFT区域上，覆盖第一源极、第一漏极和第二金属层，所述第二栅极绝缘层为SiOx结构。

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