恭喜三星电子株式会社金成吉获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利三维半导体存储器装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112670293B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011024561.7，技术领域涉及：H10B43/00；该发明授权三维半导体存储器装置及其制造方法是由金成吉;金成珍;金智美;金廷奂;金赞炯设计研发完成，并于2020-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体存储器装置及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置包括：堆叠结构，其包括交替地堆叠在衬底上的多个电极和多个介电层；竖直沟道结构，其穿透堆叠结构；以及导电焊盘，其位于竖直沟道结构上。竖直沟道结构包括半导体图案和在半导体图案与电极之间的竖直介电图案。半导体图案的上部包括包含卤素元素的杂质区。半导体图案的上部与导电焊盘相邻。
本发明授权三维半导体存储器装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，包括：堆叠结构，其包括交替地堆叠在衬底上的多个电极和多个介电层；竖直沟道结构，其穿透所述堆叠结构；和导电焊盘，其位于所述竖直沟道结构上，其中，所述竖直沟道结构包括半导体图案和位于所述半导体图案与所述多个电极之间的竖直介电图案，其中，所述半导体图案的上部包括杂质区，所述杂质区包括卤素元素，所述上部与所述导电焊盘相邻，以及其中，所述半导体图案的顶表面是凹面或远离所述竖直介电图案而水平高度降低的倾斜表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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