恭喜爱思开海力士有限公司李起洪获国家专利权
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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利半导体装置以及该半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113284903B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010854424.X，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权半导体装置以及该半导体装置的制造方法是由李起洪;金活杓;韩承佑设计研发完成，并于2020-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置以及该半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：半导体装置以及该半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：层叠结构，其包括交替地层叠的多个绝缘层和多个导电层；沟道结构，其穿透层叠结构；多个数据存储图案，其分别插置在导电层和沟道结构之间；多个阻挡图案，其分别插置在导电层和数据存储图案之间；多个绝缘图案，其分别插置在绝缘层和沟道结构之间；以及多个绝缘衬垫，其插置在绝缘层和绝缘图案之间，多个绝缘衬垫分别围绕绝缘图案。
本发明授权半导体装置以及该半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，该半导体装置包括：层叠结构，该层叠结构包括交替地层叠的多个绝缘层和多个导电层；沟道结构，该沟道结构穿透所述层叠结构；多个数据存储图案，多个所述数据存储图案分别插置在所述导电层和所述沟道结构之间；多个阻挡图案，多个所述阻挡图案分别插置在所述导电层和所述数据存储图案之间；多个绝缘图案，多个所述绝缘图案分别插置在所述绝缘层和所述沟道结构之间；以及多个绝缘衬垫，多个所述绝缘衬垫插置在所述绝缘层和所述绝缘图案之间，多个所述绝缘衬垫分别围绕所述绝缘图案，其中，所述多个绝缘衬垫沿所述多个绝缘层和所述多个导电层被层叠的方向彼此间隔开。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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