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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利垂直晶体管阵列以及形成垂直晶体管阵列的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447716B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010909151.4，技术领域涉及：H10D84/82；该发明授权垂直晶体管阵列以及形成垂直晶体管阵列的方法是由D·C·潘迪;刘海涛;K·M·考尔道设计研发完成，并于2020-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直晶体管阵列以及形成垂直晶体管阵列的方法在说明书摘要公布了：本申请案涉及一种垂直晶体管阵列，以及一种用于形成垂直晶体管阵列的方法。一种垂直晶体管阵列包括隔开的导柱，其个别地包括个别垂直晶体管的沟道区。水平拉长的导体线将多个所述垂直晶体管的所述导柱的所述沟道区中的个别沟道区直接电耦合在一起。上部源极漏极区在所述导柱的所述个别沟道区上方，下部源极漏极区在所述导柱的所述个别沟道区下方，且导电栅极线以操作方式在所述导柱的所述个别沟道区旁边，且互连多个所述垂直晶体管。公开了方法。

本发明授权垂直晶体管阵列以及形成垂直晶体管阵列的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成垂直晶体管阵列的方法，其包括：形成包括晶体管材料的横向隔开且水平拉长的晶体管-材料线，以及位于紧接横向邻近的所述晶体管-材料线之间的水平拉长的导体线，所述晶体管材料包括沟道区，其将成为个别垂直晶体管，所述导体线直接电耦合到所述导体线的两个侧边上的所述晶体管-材料线的所述沟道区；切割所述晶体管-材料线，以形成个别地包括所述个别垂直晶体管的所述沟道区的隔开的导柱，所述导体线将多个所述垂直晶体管的所述导柱的所述沟道区中的个别沟道区直接电耦合在一起；以及在所述导柱的所述个别沟道区上方形成上部源极漏极区，在所述导柱的所述个别沟道区下方形成下部源极漏极区，且形成导电栅极线，所述导电栅极线以操作方式在所述导柱的所述个别沟道区的旁边，且互连多个所述垂直晶体管，其中：最初将所述导体线形成为不直接电耦合到所述导体线的两个侧边上的所述晶体管-材料线的所述沟道区；且在形成所述晶体管-材料线和所述导体线之后，通过形成直接抵靠且横跨所述导体线与所述导体线的两个侧边上的所述晶体管-材料线的所述沟道区之间的导电材料，所述导体线直接电耦合所述导体线的两个侧边上的所述晶体管-材料线的所述沟道区。

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