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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113690139B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010420701.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法是由迟帅杰;张海洋;崇二敏;田伟设计研发完成，并于2020-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构，包括：衬底；位于衬底上的栅极结构；位于衬底上的介质层，所述介质层位于所述栅极结构侧壁；位于介质层内的开口，所述开口沿垂直于栅极结构延伸方向贯穿所述栅极结构；位于开口内第一隔离层，所述第一隔离层顶部表面低于所述栅极结构顶部表面。所述半导体结构的性能得到提升。

本发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；位于衬底上的栅极结构；位于衬底上的介质层，所述介质层覆盖所述栅极结构侧壁；位于介质层内的开口，所述开口沿垂直于栅极结构延伸方向贯穿所述栅极结构；位于开口内第一隔离层，所述第一隔离层顶部表面低于所述栅极结构顶部表面；位于栅极结构两侧的鳍部结构内的源漏掺杂区；位于介质层内的金属层，所述金属层位于所述第一隔离层上,所述金属层与所述栅极结构平行，所述金属层与源漏掺杂区电连接，所述第一隔离层的上部嵌入所述金属层，并且所述第一隔离层的嵌入所述金属层的部分相对于所述金属层下表面的高度为H1；若所述第一隔离层顶部表面齐平于所述栅极结构顶部表面时，所述第一隔离层的嵌入所述金属层的部分相对于所述金属层下表面的高度为H2，则H1H2。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。