恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司金吉松获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113394191B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010165784.9，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权半导体结构及其形成方法是由金吉松设计研发完成，并于2020-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底，所述衬底内具有第一导电结构；在所述衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层内并延伸入所述第一导电结构内形成第一开口，所述第一开口底部表面低于所述第一导电结构顶部表面；在所述第一开口内形成插塞结构。在本发明技术方案的半导体结构中，通过位于所述第一介质层内并延伸入第一导电结构内的第一开口，所述第一开口底部表面低于所述第一导电结构顶部表面；位于所述第一开口内的插塞结构。利用延伸入所述第一导电结构内的第一开口，使得所述第一导电结构与所述插塞结构之间的接触面积增大，以此实现减小所述第一导电结构与所述插塞结构之间的接触电阻，进而提升最终形成的半导体结构的电学性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底内具有第一导电结构，所述衬底表面暴露出所述第一导电结构；位于所述衬底上的第一介质层；位于所述第一介质层内并延伸入第一导电结构内的第一开口，所述第一开口底部表面低于所述第一导电结构顶部表面，所述第一开口贯穿所述第一导电结构；位于所述第一开口内的插塞结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号