买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜旺宏电子股份有限公司申请的专利半导体装置及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113130507B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010073984.1，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体装置及其操作方法是由吴冠纬;张耀文;杨怡箴设计研发完成，并于2020-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及其操作方法在说明书摘要公布了：一种半导体装置及其操作方法，其中半导体装置包括基板、第一及第二堆叠。基板包括由上表面向下延伸的第一掺杂浓度的掺杂区。第一堆叠设置于上表面上，包括交替堆叠的第一绝缘层及第一导电层、第一通道层、第一存储层以及第一导电连接件。第一导电层配置为接收第一电压。第一导电连接件设置于第一通道层上，具有第二掺杂浓度。设置于第一堆叠上的第二堆叠包括交替堆叠的第二绝缘层及第二导电层、第二通道层、第二存储层以及第二导电连接件。第二导电层配置为接收第二电压。第二导电连接件设置于第二通道层上，配置为接收擦除电压。第一导电连接件电性连接第一及第二通道层。第一掺杂浓度小于第二掺杂浓度。

本发明授权半导体装置及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一基板，具有一上表面，其中该基板包括由该上表面向下延伸的一掺杂区，该掺杂区具有一第一掺杂浓度；一第一堆叠，设置于该上表面上，其中该第一堆叠包括：交替堆叠的多个第一绝缘层及多个第一导电层，其中这些第一导电层配置为接收一第一电压；一第一通道层，穿过该第一堆叠；一第一存储层，环绕该第一通道层；以及一第一导电连接件，设置于该第一通道层上，且具有一第二掺杂浓度；一第二堆叠，设置于该第一堆叠上，其中该第二堆叠包括：交替堆叠的多个第二绝缘层及多个第二导电层，其中这些第二导电层配置为接收不同于该第一电压的一第二电压；一第二通道层，穿过该第二堆叠；一第二存储层，环绕该第二通道层；以及一第二导电连接件，设置于该第二通道层上，该第二导电连接件具有一第三掺杂浓度，且配置为接收一擦除电压，其中该第一导电连接件电性连接该第一通道层及该第二通道层；其中该第一掺杂浓度小于该第二掺杂浓度及该第三掺杂浓度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人旺宏电子股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹科学工业园区力行路16号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。