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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体存储器装置及其修复方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110111834B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910044102.6，技术领域涉及：G11C29/42；该发明授权半导体存储器装置及其修复方法是由崔镜洛设计研发完成，并于2019-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储器装置及其修复方法在说明书摘要公布了：公开了一种半导体存储器装置及其修复方法，该半导体存储器装置包括存储器单元阵列和纠错码逻辑，所述存储器单元阵列包括主单元阵列和冗余单元阵列，所述方法包括：检测主单元阵列的主修复单元和冗余单元阵列的冗余修复单元中的每一个的故障位；利用纠错码逻辑确定从主修复单元和冗余修复单元中的每一个检测到的故障位是否是可校正的，并确定第一可校正状态或第二可校正状态；计算主修复单元的第一累积可校正故障位计数和冗余修复单元的第二累积可校正故障位计数；根据第一可校正状态、第二可校正状态以及第一累积可校正故障位计数和第二累积可校正故障位计数确定是否用冗余修复单元替代主修复单元；以及根据确定结果执行修复操作。

本发明授权半导体存储器装置及其修复方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置的修复方法，所述半导体存储器装置包括存储器单元阵列和纠错码逻辑，所述存储器单元阵列包括主单元阵列和冗余单元阵列，所述方法包括以下步骤：检测所述主单元阵列的主修复单元和所述冗余单元阵列的冗余修复单元中的每一个的故障位；利用所述纠错码逻辑确定从所述主修复单元和所述冗余修复单元中的每一个检测到的所述故障位是否是可校正的，以确定用于所述主修复单元的第一可校正状态或用于所述冗余修复单元的第二可校正状态；计算所述主修复单元的第一累积可校正故障位计数和所述冗余修复单元的第二累积可校正故障位计数；根据所述第一可校正状态、所述第二可校正状态以及所述第一累积可校正故障位计数和所述第二累积可校正故障位计数来确定是否用所述冗余修复单元替代所述主修复单元；以及根据确定结果执行修复操作。

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