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龙图腾网恭喜珠海华汇智造半导体有限公司申请的专利发光二极管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222339926U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420831893.3，技术领域涉及：H10H20/85；该实用新型发光二极管是由李辉设计研发完成，并于2024-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管在说明书摘要公布了：本公开提供了一种发光二极管。发光二极管包括：支架、白胶层、发光二极管芯片、导线和球头；发光二极管芯片位于支架表面，且位于支架中部，导线分别与发光二极管芯片和支架电连接，白胶层覆盖位于发光二极管芯片四周的支架表面，球头与支架连接，球头覆盖发光二极管芯片和白胶层。通过设置覆盖位于发光二极管芯片四周的支架表面，一方面，能够提高球头与支架连接的粘性，提升产品的气密性，并且能够提高产品的抗硫化的能力；另一方面，白胶层的覆盖还能增加支架对发光二极管芯片产生的红光的反射率，从而增强产品的出光效率。

本实用新型发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：支架1000、白胶层104、发光二极管芯片105、导线106和球头107；所述发光二极管芯片105位于所述支架1000表面，且位于所述支架1000中部，所述导线106分别与所述发光二极管芯片105和所述支架1000电连接，所述白胶层104覆盖位于所述发光二极管芯片105四周的所述支架1000表面，所述球头107与所述支架1000连接，所述球头107覆盖所述发光二极管芯片105和所述白胶层104。

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