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龙图腾网恭喜山东民峰智能科技有限公司申请的专利一种TVS芯片生产工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117936402B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311780098.2，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种TVS芯片生产工艺是由李广德;于越洋;李昊阳;于如远设计研发完成，并于2023-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种TVS芯片生产工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及一种TVS芯片生产工艺，包括：扩散浸泡分离、一次相、平台蚀刻、补时间、去光阻层、格线蚀刻、绝缘氧化、玻璃钝化、二次相、开窗、去光阻层、吹砂及吹砂后清洗、氧化、镍合金煅烧、镀镍、点测、切割及裂片、清洗。本发明的一种TVS芯片生产工艺，对扩散工序后的硅圆进行性能测试，经过之后的各个工序加工后确保良品率。

本发明授权一种TVS芯片生产工艺在权利要求书中公布了：1.一种TVS芯片生产工艺，其特征在于：包括：扩散，用于形成PN结，增加表面载流子浓度；浸泡分离，用于将磷硼扩散后黏叠在一块的芯片整板分开；一次相，利用光刻胶负光阻特性，用于曝光显影后留下沟槽蚀刻区域；平台蚀刻，蚀刻沟槽从而使PN结裸露以产生电性；补时间，根据测量结果，加深PN结深度并增加崩溃电压；去光阻层，去除芯片整板上的光阻层；格线蚀刻，去除需要挖沟区域的氧化层；绝缘氧化，利用氧化层使PN结与外界空气隔绝；玻璃钝化，PN结绝缘；二次相，利用光刻胶负光阻特性，于曝光显影后留下金属化区域；开窗，去除需要金属化区域的玻璃及氧化层；去光阻层，去除玻璃钝化区域上的光阻层；吹砂及吹砂后清洗，单吹芯片背面以防止交错，芯片双面吹砂使芯片表面雾化以利镀镍；氧化，利用高温在芯片表面上形成二氧化硅；镍合金煅烧，利用合金炉将金属与硅键结；镀镍，在电极处镀上金属镍以利焊接；点测，利用触点进行性能的检测；切割及裂片，点测合格后对芯片整板进行分切；清洗，对分切的单一芯片进行清洗；其中，对扩散工序后的硅圆进行性能测试，包括：A、与硅圆电气连接的触头，所述触头矩形阵列分布，并构造平面直角坐标系，触头在平面直角坐标系的坐标为（Xn，Yn）；B、置于触头矩阵中的硅圆区域M为： ，其中：R为硅圆的半径，硅圆区域M在平面直角坐标系的坐标为（x，y），硅圆的圆心在平面直角坐标系的坐标为（a，b）；触头沿上下方向设置一对，上方的触头与硅圆的上端面电气连接，下方的触头与硅圆的下端面电气连接；平面直角坐标系位于硅圆上端面或者下端面；由硅圆的圆心在平面直角坐标系的坐标（a，b）、硅圆的半径R，使硅圆区域M位于平面直角坐标系的第一象限；C、对触头构造电气接触区域N为： ，其中：r为触头的接触面半径，电气接触区域N在平面直角坐标系的坐标为（x0，y0），并使电气接触区域N与硅圆区域M相内离、内切；D、向与硅圆的上、下两端面电气连接的上、下两个触头提供正向测试电压，由压降数据Ax及触头坐标（Xn，Yn），可知触头点处的压降矩阵An为： ，可知触头点处压降矩阵An分布概率为： ，其中：K为坐标维度，Σ为坐标点协方差矩阵，|Σ|为坐标点协方差矩阵的值，Σ（-1）为Σ的逆矩阵，T为矩阵转置，μ为坐标点均值向量；触头点处的压降矩阵An所在的空间直角坐标系中，可知触头点处的压降矩阵An为： ，其中，Y0在M∩N的范围内；坐标维度K=2，空间直角坐标系简化为平面直角坐标系oXZ，根据foXZ（An）的离散数据，判断扩散工艺后硅圆的离散性能；根据foXZ（An）曲率的连续数据，判断扩散工艺后硅圆的整体性能；触头点处的压降矩阵An所在的空间直角坐标系中，可知触头点处的压降矩阵An为： ，其中，X0在M∩N的范围内；坐标维度K=2，空间直角坐标系简化为平面直角坐标系oYZ，根据foYZ（An）的离散数据，判断扩散工艺后硅圆的离散性能；根据foYZ（An）曲率的连续数据，判断扩散工艺后硅圆的整体性能；或向与硅圆的上、下两端面电气连接的上、下两个触头提供反向测试电压，由击穿电流数据Bx及触头坐标（Xn，Yn），可知触头点处的压降矩阵Bn为： ，可知触头点处压降矩阵Bn分布概率为： ，其中：K为坐标维度，Σ为坐标点协方差矩阵，|Σ|为坐标点协方差矩阵的值，Σ（-1）为Σ的逆矩阵，T为矩阵转置，μ为坐标点均值向量；触头点处的压降矩阵Bn所在的空间直角坐标系中，可知触头点处的压降矩阵Bn为： ，其中，Y0在M∩N的范围内；坐标维度K=2，空间直角坐标系简化为平面直角坐标系oXZ，根据foXZ（Bn）的离散数据，判断扩散工艺后硅圆的离散性能；根据foXZ（Bn）曲率的连续数据，判断扩散工艺后硅圆的整体性能；触头点处的压降矩阵Bn所在的空间直角坐标系中，可知触头点处的压降矩阵Bn为： ，其中，X0在M∩N的范围内；坐标维度K=2，空间直角坐标系简化为平面直角坐标系oYZ，根据foYZ（Bn）的离散数据，判断扩散工艺后硅圆的离散性能；根据foYZ（Bn）曲率的连续数据，判断扩散工艺后硅圆的整体性能。

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