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龙图腾网恭喜泸州职业技术学院申请的专利一种用于涂层导体的硫掺杂Ni基薄带的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115786842B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211513778.3，技术领域涉及：C23C8/08；该发明授权一种用于涂层导体的硫掺杂Ni基薄带的制备方法是由崔瑾;于恒洋;夏尔玛;库玛尔;邱富军;杨梦设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于涂层导体的硫掺杂Ni基薄带的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种用于涂层导体的硫掺杂Ni基薄带的制备方法，首先将高纯度的Ni粉和W粉按照特定的原子比进行充分研磨混合，并经过预压、烧结、轧制等步骤制备NiW基带，然后通入H2S混合气体对NiW基带进行硫掺杂再结晶操作，在特定温度和特定硫化氢混合气体通入量条件下，通过硫掺杂有效预防了NiW基带表面晶界沟槽的形成，且该方法不需要轧制中间热处理，工艺步骤简单，缩短了制备时间，工艺参数易于控制，适合工业化规模生产及连续生产。

本发明授权一种用于涂层导体的硫掺杂Ni基薄带的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于涂层导体的硫掺杂Ni基薄带的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤A、制备NiW基带；1将纯度大于99.99％的Ni粉和W粉按照91:9-85:15的原子比充分研磨混合，得到NiW粉末；2将混合好的NiW粉末进行预压，得到特定尺寸的NiW块，并将压好的NiW块进行烧结，得到NiW坯锭；3将烧结好的NiW坯锭磨皮，并进行轧制，得到NiW基带；步骤B、制备硫掺杂Ni基薄带：将NiW基带放入管式炉中，通入H2S-H2-Ar混合气体，其中H2S的含量为0.01％-1.00％，H2的含量为1％-5％，并使NiW基带在1250℃-1450℃下再结晶5-10h，所述H2S-H2-Ar混合气体通入速率为30Lh-120Lh。

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